Bei dem n-Kanal-MetallOxid-Transistor ist das Gate durch eine Oxidschicht von dem Source-Drain-Kanal getrennt, so dass dieser sehr hochohmig ist. Der Strom wird wiederum durch die Spannung am Gate gesteuert. Es gibt unterschiedliche MOSFETs, wir haben hier einen Anreicherungstyp n-Kanal MOSFET der bei einer positiven Spannung leitend wird, bei 0V (und weniger) sperrt er.